Технические характеристики Каталог значений атрибутивных параметров Полевой транзистор (MOSFET) типа 1 N-канальный и 1 P-канальный Напряжение источника стока (Vdss) 30 В Постоянный ток стока (Id) 6,5 А; Мощность 7А (Pd) 2 Вт На сопротивлении (RDS (on) @ Vgs, Id) 20 м Ом при 10 В, пороговое напряжение 6А (Vgs (th) @ Id) 1.6V@250uA Сетевой заряд (Qg @ Vgs) 13nC при входной емкости 10 В (СНПЧ @ Vds) 255pF при емкости обратной передачи 15 В (Crss @ Vds) 35pF при 15 В Рабочая температура - 55 ℃ ~ + 150 ℃ @ (Tj)